描述:ISL6609, ISL6609A 同步整流 MOSFET 驱动器是 Intersil 高频、 MOSFET 驱动器，经过优化可驱动两个 N 通道功率 MOSFET，构成同步整流降压转换器拓扑。ISL6609 和 ISL6609A 与 Intersil ISL63xx 或 ISL65xx 多相 PWM 控制器配合使用，可形成高性能先进微处理器的高效率高开关频率单级核心电压调节器解决方案。 IC 由单个低压电源（5V）偏置，可最大限度地降低高 MOSFET 门电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗。每 个驱动器能够驱动 3nF 负载，上升/下降时间不到 10ns。通过内部低正向降压二极管实现上门驱动的引导，降低实现成本、复杂性，并允许使用性能更高、成本更有效的 N 通道 MOSFET。集成自适应开关保护，可防止两个 MOSFET 同时导通。ISL6609、ISL6609A 具有 4A 典型吸收电流，可增强下 MOSFET 门保持电流，在 PHASE 节点上升沿期间防止由于开关节点高 dv/dt 而导致下 MOSFET 自开关而造成的电力损耗。 ISL6609、ISL6609A 还具有一个可以识别高阻态的输入，与 Intersil 多相 PWM 控制器协同工作，以防止控制输出上的负瞬态。
描述:intersil ISL6609, ISL6609A Data Sheet ,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
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desc:ISL6609, ISL6609A 同步整流 MOSFET 驱动器是 Intersil 高频、 MOSFET 驱动器，经过优化可驱动两个 N 通道功率 MOSFET，构成同步整流降压转换器拓扑。ISL6609 和 ISL6609A 与 Intersil ISL63xx 或 ISL65xx 多相 PWM 控制器配合使用，可形成高性能先进微处理器的高效率高开关频率单级核心电压调节器解决方案。 IC 由单个低压电源（5V）偏置，可最大限度地降低高 MOSFET 门电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗。每 个驱动器能够驱动 3nF 负载，上升/下降时间不到 10ns。通过内部低正向降压二极管实现上门驱动的引导，降低实现成本、复杂性，并允许使用性能更高、成本更有效的 N 通道 MOSFET。集成自适应开关保护，可防止两个 MOSFET 同时导通。ISL6609、ISL6609A 具有 4A 典型吸收电流，可增强下 MOSFET 门保持电流，在 PHASE 节点上升沿期间防止由于开关节点高 dv/dt 而导致下 MOSFET 自开关而造成的电力损耗。 ISL6609、ISL6609A 还具有一个可以识别高阻态的输入，与 Intersil 多相 PWM 控制器协同工作，以防止控制输出上的负瞬态。