描述:HY57V561620T是一种268,435,456位的CMOS同步DRAM，适用于需要大容量和高带宽的主存储器应用。它由4个4,194,304 x 16的存储块组成，具有完全同步操作和内部流水线设计，支持多种可编程选项。
描述:HYNIK HY57V561620(L)T 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
文件大小:117 KB
文件校验:061B8901E2BEDC6A696814411C3A7536
desc:HY57V561620T是一种268,435,456位的CMOS同步DRAM，适用于需要大容量和高带宽的主存储器应用。它由4个4,194,304 x 16的存储块组成，具有完全同步操作和内部流水线设计，支持多种可编程选项。