描述:M28F101 1 Mb (128K x 8, Chip Erase) FLASH MEMORY 是东芝公司的一款非易失性存储器，具有5V ±10% 电源电压、12V 编程电压、70ns 快速访问时间、10µs 典型字节编程时间、1s 范围的低功耗，以及 10,000 次擦除/编程周期等特点。
描述:ST M28F101 说明书,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
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desc:M28F101 1 Mb (128K x 8, Chip Erase) FLASH MEMORY 是东芝公司的一款非易失性存储器，具有5V ±10% 电源电压、12V 编程电压、70ns 快速访问时间、10µs 典型字节编程时间、1s 范围的低功耗，以及 10,000 次擦除/编程周期等特点。