描述:DS1345 1024k 非易失性 SRAM 具有 1,048,576 位，完全静态，非易失性 SRAM，组织为 131,072 个字节，由 8 位组成。每个 NV SRAM 都有一个自包含的锂能量源和控制电路，该电路会不断监视 VCC 以检测电源故障，并在 VCC 重新上电期间将处理器保持在复位状态。
描述:DALLAS DS1345Y/AB 说明书,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
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desc:DS1345 1024k 非易失性 SRAM 具有 1,048,576 位，完全静态，非易失性 SRAM，组织为 131,072 个字节，由 8 位组成。每个 NV SRAM 都有一个自包含的锂能量源和控制电路，该电路会不断监视 VCC 以检测电源故障，并在 VCC 重新上电期间将处理器保持在复位状态。