描述:该DS1245Y/AB 1024k Nonvolatile SRAM 具有10年以上的数据保留时间，并且在掉电时可自动保护数据。它可以替代128k x 8的易失性静态RAM、EEPROM或闪存，具有无限的写入周期，并且为低功耗CMOS。读取和写入访问时间最快可达70ns。锂能量源在首次供电之前是电气断开的，以保持新鲜度。
描述:DALLAS DS1245Y/AB 说明书,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
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desc:该DS1245Y/AB 1024k Nonvolatile SRAM 具有10年以上的数据保留时间，并且在掉电时可自动保护数据。它可以替代128k x 8的易失性静态RAM、EEPROM或闪存，具有无限的写入周期，并且为低功耗CMOS。读取和写入访问时间最快可达70ns。锂能量源在首次供电之前是电气断开的，以保持新鲜度。