描述:HMC358MS8G和HMC358MS8GE是GaAs InGaP异质结双极晶体管（HBT）MMIC振荡器。该振荡器集成了谐振器、负阻抗器件、可变二极管和缓冲放大器。由于振荡器的单片结构，其相位噪声性能在温度、冲击和工艺方面都非常出色。输出功率为典型值11 dBm，供电电压为3V。该电压控制振荡器采用低成本的表面贴装8引脚MSOP封装，外露基座以提高射频和热性能。
描述:Hittite Microwave Corporation HMC358MS8G / 358MS8GE MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 5.8 – 6.8 GHz v04.0607,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
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详细介绍:HMC358MS8G和HMC358MS8GE是GaAs InGaP异质结双极晶体管（HBT）MMIC振荡器。该振荡器集成了谐振器、负阻抗器件、可变二极管和缓冲放大器。由于振荡器的单片结构，其相位噪声性能在温度、冲击和工艺方面都非常出色。输出功率为典型值11 dBm，供电电压为3V。该电压控制振荡器采用低成本的表面贴装8引脚MSOP封装，外露基座以提高射频和热性能。