描述:CS18LV20483是一种高性能、高速、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器，采用262,144字 x 8位的组织方式，工作电压范围广，为2.7至3.6V。采用先进的CMOS技术和电路技术，提供高速和低功耗特性，典型CMOS待机电流为0.50uA，最大访问时间为55/70ns（3.0V操作条件下）。通过LOW芯片使能输入（/CE1，CE2）和LOW输出使能（/OE）以及三态输出驱动器，提供方便的存储器扩展。在取消选定芯片时，CS18LV20483具有自动断电功能，显著降低功耗。CS18LV20483提供JEDEC标准32引脚sTSOP（8×13.4 mm）、TSOP（8x20mm）、TSOP（II）（400mil）和SOP（450 mil）封装。
描述:CHiPLUS CS18LV20483 High Speed Super Low Power SRAM,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
文件大小:755 KB
文件校验:07DD28F246A7B024C4B5925304496CFD
desc:CS18LV20483是一种高性能、高速、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器，采用262,144字 x 8位的组织方式，工作电压范围广，为2.7至3.6V。采用先进的CMOS技术和电路技术，提供高速和低功耗特性，典型CMOS待机电流为0.50uA，最大访问时间为55/70ns（3.0V操作条件下）。通过LOW芯片使能输入（/CE1，CE2）和LOW输出使能（/OE）以及三态输出驱动器，提供方便的存储器扩展。在取消选定芯片时，CS18LV20483具有自动断电功能，显著降低功耗。CS18LV20483提供JEDEC标准32引脚sTSOP（8×13.4 mm）、TSOP（8x20mm）、TSOP（II）（400mil）和SOP（450 mil）封装。