描述:TURBOSWITCH “H”是一种超高性能二极管,由两个300V的晶片串联而成。TURBOSWITCH “H”系列在高dIF/dt运行时显著降低了相关MOSFET的损耗。特别适用于连续模式功率因数校正器和硬开关条件下的增压二极管。设计用于高dIF/dt操作。具有与SiC器件相竞争的超快恢复电流。允许MOSFET和散热器尺寸减小。内部陶瓷绝缘装置具有相同的热条件,适用于两个300V二极管。绝缘(2500VRMS)允许与MOSFET放置在同一散热器上。可以在公共或独立散热器上进行灵活散热。内部二极管的静态和动态平衡由设计保证。封装电容:C=7pF

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详细介绍:TURBOSWITCH “H”是一种超高性能二极管,由两个300V的晶片串联而成。TURBOSWITCH “H”系列在高dIF/dt运行时显著降低了相关MOSFET的损耗。特别适用于连续模式功率因数校正器和硬开关条件下的增压二极管。设计用于高dIF/dt操作。具有与SiC器件相竞争的超快恢复电流。允许MOSFET和散热器尺寸减小。内部陶瓷绝缘装置具有相同的热条件,适用于两个300V二极管。绝缘(2500VRMS)允许与MOSFET放置在同一散热器上。可以在公共或独立散热器上进行灵活散热。内部二极管的静态和动态平衡由设计保证。封装电容:C=7pF