描述:STMicroelectronics设计了一系列先进的PowerMESH™ IGBT，采用基于专利条带布局的最新高压技术，具有出色的性能。STGB3NB60SD是其中一款IGBT，具有高输入阻抗、非常低的导通压降、高电流能力、集成的反向导流二极管等特点。适用于气体放电灯、静态继电器、电机控制等应用。
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详细介绍:STMicroelectronics设计了一系列先进的PowerMESH™ IGBT，采用基于专利条带布局的最新高压技术，具有出色的性能。STGB3NB60SD是其中一款IGBT，具有高输入阻抗、非常低的导通压降、高电流能力、集成的反向导流二极管等特点。适用于气体放电灯、静态继电器、电机控制等应用。