描述:STGB10N60L是STMicroelectronics生产的一款N沟道IGBT,最大额定电压为600V,最大电流为10A,封装为D2PAK(TO-263),具有高输入阻抗(电压驱动)、非常低的导通电压(Vcesat)、低阈值电压(逻辑电平输入)、高电流能力、开关损耗包括尾电流等特点。
描述:ST STGB10N60L 数据手册,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
文件大小:90 KB
文件校验:A2D6BF55D31D7C0A79F313C2019D0570
详细介绍:STGB10N60L是STMicroelectronics生产的一款N沟道IGBT,最大额定电压为600V,最大电流为10A,封装为D2PAK(TO-263),具有高输入阻抗(电压驱动)、非常低的导通电压(Vcesat)、低阈值电压(逻辑电平输入)、高电流能力、开关损耗包括尾电流等特点。