描述:HIP6601A, HIP6603A和HIP6604是高频率，双MOSFET驱动器，专门设计用于在同步整流降压变换器拓扑中驱动两个功率N沟道MOSFET。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器结合使用，形成了先进微处理器的完整核心电压调节器解决方案。HIP6601A将同步整流器的下沟道驱动到12V，而上沟道可以独立地在5V到12V的范围内驱动。HIP6603A在5V到12V的范围内驱动上下沟道。这种驱动电压的灵活性具有在涉及开关损耗和传导损耗之间进行权衡的应用优势。HIP6604可以配置为HIP6601A或HIP6603A。HIP6601A、HIP6603A和HIP6604中的输出驱动器能够以高达2MHz的频率高效地开关功率MOSFET。每个驱动器能够以30ns的传播延迟和50ns的转换时间驱动3000pF的负载。这些产品实现了引导
描述:intersil HIP6601A, HIP6603A, HIP6604 Data Sheet,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
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详情:HIP6601A, HIP6603A和HIP6604是高频率，双MOSFET驱动器，专门设计用于在同步整流降压变换器拓扑中驱动两个功率N沟道MOSFET。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器结合使用，形成了先进微处理器的完整核心电压调节器解决方案。HIP6601A将同步整流器的下沟道驱动到12V，而上沟道可以独立地在5V到12V的范围内驱动。HIP6603A在5V到12V的范围内驱动上下沟道。这种驱动电压的灵活性具有在涉及开关损耗和传导损耗之间进行权衡的应用优势。HIP6604可以配置为HIP6601A或HIP6603A。HIP6601A、HIP6603A和HIP6604中的输出驱动器能够以高达2MHz的频率高效地开关功率MOSFET。每个驱动器能够以30ns的传播延迟和50ns的转换时间驱动3000pF的负载。这些产品实现了引导