描述:CS18LV20483是一款高性能、高速度、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器，组织为262,144字节，由8位组成，并在2.7至3.6V的电源电压范围内运行。先进的CMOS技术和电路技术提供高速度和低功耗功能，典型的CMOS待机电流为0.50uA，最大访问时间为55/70ns，在3.0V操作下。通过活动低电平片选输入(/CE1、CE2)和活动低电平输出使能(/OE)以及三态输出驱动器，可轻松扩展存储器。CS18LV20483具有自动电源关闭功能，当芯片未被选中时，可显著降低功耗。CS18LV20483提供JEDEC标准32针sTSOP(8×13.4 mm)、TSOP(8x20mm)、TSOP(II)(400mil)和SOP(450 mil)封装。
描述:CHIPLUS High Speed Super Low Power SRAM 256K-Word By 8 Bit CS18LV20483 数据手册,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
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详情:CS18LV20483是一款高性能、高速度、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器，组织为262,144字节，由8位组成，并在2.7至3.6V的电源电压范围内运行。先进的CMOS技术和电路技术提供高速度和低功耗功能，典型的CMOS待机电流为0.50uA，最大访问时间为55/70ns，在3.0V操作下。通过活动低电平片选输入(/CE1、CE2)和活动低电平输出使能(/OE)以及三态输出驱动器，可轻松扩展存储器。CS18LV20483具有自动电源关闭功能，当芯片未被选中时，可显著降低功耗。CS18LV20483提供JEDEC标准32针sTSOP(8×13.4 mm)、TSOP(8x20mm)、TSOP(II)(400mil)和SOP(450 mil)封装。