描述:M29W160ET M29W160EB 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory提供了16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block)的3V供电Flash Memory。它具有2.7V到3.6V的供电电压，70，90ns的访问时间，10µs每字节/字的典型编程时间，35个存储块，1个引导块（顶部或底部位置），2个参数和32个主块，嵌入式字节/字编程算法的编程/擦除控制器，擦除挂起和恢复模式（读取并编程另一个块期间擦除挂起），解锁绕过编程命令（更快的生产/批量编程），临时块非保护模式，64位安全码的常用闪存接口，待机和自动待机，100,000个编程/擦除周期/块，电子签名制造商代码：0020h，顶部设备代码M29W160ET：22C4h，底部设备代码M29W160EB：2249h。
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详情:M29W160ET M29W160EB 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory提供了16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block)的3V供电Flash Memory。它具有2.7V到3.6V的供电电压，70，90ns的访问时间，10µs每字节/字的典型编程时间，35个存储块，1个引导块（顶部或底部位置），2个参数和32个主块，嵌入式字节/字编程算法的编程/擦除控制器，擦除挂起和恢复模式（读取并编程另一个块期间擦除挂起），解锁绕过编程命令（更快的生产/批量编程），临时块非保护模式，64位安全码的常用闪存接口，待机和自动待机，100,000个编程/擦除周期/块，电子签名制造商代码：0020h，顶部设备代码M29W160ET：22C4h，底部设备代码M29W160EB：2249h。