描述:IDT6116SA / LA是一种16,384位高速静态RAM，采用2K x 8的组织形式。它使用IDT的高性能、高可靠性CMOS技术制造。可提供快至15ns的访问时间。该电路还提供了降低功耗的待机模式。当CS变为高电平时，只要CS保持高电平，电路将自动进入并保持在待机电源模式。这种能力可以显著节省系统级的功耗和冷却。低功耗（LA）版本还提供了电池备份数据保持能力，电路在使用2V电池时通常只消耗1µW至4µW的功率。IDT6116SA / LA的所有输入和输出都与TTL兼容。使用完全静态异步电路，不需要时钟。
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详情:IDT6116SA / LA是一种16,384位高速静态RAM，采用2K x 8的组织形式。它使用IDT的高性能、高可靠性CMOS技术制造。可提供快至15ns的访问时间。该电路还提供了降低功耗的待机模式。当CS变为高电平时，只要CS保持高电平，电路将自动进入并保持在待机电源模式。这种能力可以显著节省系统级的功耗和冷却。低功耗（LA）版本还提供了电池备份数据保持能力，电路在使用2V电池时通常只消耗1µW至4µW的功率。IDT6116SA / LA的所有输入和输出都与TTL兼容。使用完全静态异步电路，不需要时钟。