描述:KMT32B是一种基于各向异性磁电阻效应的磁场传感器。该传感器包含两个平行供电的惠斯敦电桥，其包围一个敏感角度为45度。在与芯片平行的表面上旋转的磁场将提供两个独立的正弦输出信号，一个按照cos(2α)的规律变化。
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详情:KMT32B是一种基于各向异性磁电阻效应的磁场传感器。该传感器包含两个平行供电的惠斯敦电桥，其包围一个敏感角度为45度。在与芯片平行的表面上旋转的磁场将提供两个独立的正弦输出信号，一个按照cos(2α)的规律变化。