描述:BH62UV8001是一款高性能、超低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织为1,048,576位x 8位，并在1.65V至3.6V电源电压范围内运行。先进的CMOS技术和电路技术提供高速度和低功耗特性，典型工作电流为1.5mA，1MHz，3.6V/25OC，最大访问时间为55ns，1.65V/85OC。通过活动低电平片选(CE1)、活动高电平片选(CE2)和活动低电平输出使能(OE)以及三态输出驱动器提供简单的存储器扩展。BH62UV8001具有自动电源关闭功能，当芯片未被选中时，可显著降低功耗。BH62UV8001提供DICE形式和48球BGA封装。
描述:BSI BH62UV8001 Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 数据手册,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
文件大小:145 KB
文件校验:F25641BCBC032C0EA88AEDD3EC27000B
详情:BH62UV8001是一款高性能、超低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织为1,048,576位x 8位，并在1.65V至3.6V电源电压范围内运行。先进的CMOS技术和电路技术提供高速度和低功耗特性，典型工作电流为1.5mA，1MHz，3.6V/25OC，最大访问时间为55ns，1.65V/85OC。通过活动低电平片选(CE1)、活动高电平片选(CE2)和活动低电平输出使能(OE)以及三态输出驱动器提供简单的存储器扩展。BH62UV8001具有自动电源关闭功能，当芯片未被选中时，可显著降低功耗。BH62UV8001提供DICE形式和48球BGA封装。