描述:SiC769CD是Vishay Siliconix公司推出的一款集成 DrMOS 电源阶段产品。该产品集成了PWM优化的N通道MOSFET（高侧和低侧）和一款全功能的MOSFET驱动器IC。该设备符合英特尔DrMOS标准，适用于台式机和服务器Vcore电源阶段。SiC769CD能够提供高达35 A的连续输出电流，并从3 V到16 V的输入电压范围内运行。集成的MOSFET优化输出电压范围为0.8 V至2.0 V，额定输入电压为12 V。该器件还可为ASIC应用提供5 V输出时的极高功率。SiC769CD集成了高级MOSFET栅极驱动器IC。该IC从VR控制器接收单个PWM输入，并将其转换为高侧和低侧MOSFET栅极驱动信号。驱动器IC设计为实现跳过模式（SMOD）功能，以提高轻负载效率。自适应死区控制还可提高所有负载点的效率。SiC769CD具有热警告（THDN）功能，可提醒系统过高的晶体管温度。驱动器IC包括使能引脚、UVLO和短路保护。SiC769CD针对高频降压应用进行了优化。可轻松实现超过1 MHz的操作频率。SiC769CD采用Vishay Siliconix高性能PowerPAK MLP6 x 6封装。集成组件有助于缩短设计周期和降低总成本。
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详情:SiC769CD是Vishay Siliconix公司推出的一款集成 DrMOS 电源阶段产品。该产品集成了PWM优化的N通道MOSFET（高侧和低侧）和一款全功能的MOSFET驱动器IC。该设备符合英特尔DrMOS标准，适用于台式机和服务器Vcore电源阶段。SiC769CD能够提供高达35 A的连续输出电流，并从3 V到16 V的输入电压范围内运行。集成的MOSFET优化输出电压范围为0.8 V至2.0 V，额定输入电压为12 V。该器件还可为ASIC应用提供5 V输出时的极高功率。SiC769CD集成了高级MOSFET栅极驱动器IC。该IC从VR控制器接收单个PWM输入，并将其转换为高侧和低侧MOSFET栅极驱动信号。驱动器IC设计为实现跳过模式（SMOD）功能，以提高轻负载效率。自适应死区控制还可提高所有负载点的效率。SiC769CD具有热警告（THDN）功能，可提醒系统过高的晶体管温度。驱动器IC包括使能引脚、UVLO和短路保护。SiC769CD针对高频降压应用进行了优化。可轻松实现超过1 MHz的操作频率。SiC769CD采用Vishay Siliconix高性能PowerPAK MLP6 x 6封装。集成组件有助于缩短设计周期和降低总成本。