描述:IDT71V3556 和 IDT71V3558 是 3.3V 高速度 4,718,592 位 (4.5 兆比特) 同步 SRAM。它们被设计用来消除在读/写或写/读之间的总线转换时死总线周期。因此,它们被命名为 ZBTTM,即零总线转换。地址和控制信号在一个时钟周期内应用于 SRAM,两个周期后,相关数据周期发生,无论是读取还是写入。IDT71V3556/58 包含数据 I/O、地址和控制信号寄存器。输出使能是唯一的异步信号,可用于在任何给定时间禁用输出。时钟使能 (CEN) 引脚允许 IDT71V3556/58 的操作在必要时暂停。当 (CEN) 高时,所有同步输入都被忽略,内部设备寄存器将保持其先前的值。有三个芯片使能引脚 (CE1、CE2、CE2),允许用户在需要时取消选择设备。如果 ADV/LD 低时这些三个中的任何一个都没有断开连接,则无法启动新的内存操作。但是,任何待处理的数据传输 (读取或写入) 都将完成。芯片被取消选择或启动写操作后,数据总线将在两周期内进行三态。

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desc:IDT71V3556 和 IDT71V3558 是 3.3V 高速度 4,718,592 位 (4.5 兆比特) 同步 SRAM。它们被设计用来消除在读/写或写/读之间的总线转换时死总线周期。因此,它们被命名为 ZBTTM,即零总线转换。地址和控制信号在一个时钟周期内应用于 SRAM,两个周期后,相关数据周期发生,无论是读取还是写入。IDT71V3556/58 包含数据 I/O、地址和控制信号寄存器。输出使能是唯一的异步信号,可用于在任何给定时间禁用输出。时钟使能 (CEN) 引脚允许 IDT71V3556/58 的操作在必要时暂停。当 (CEN) 高时,所有同步输入都被忽略,内部设备寄存器将保持其先前的值。有三个芯片使能引脚 (CE1、CE2、CE2),允许用户在需要时取消选择设备。如果 ADV/LD 低时这些三个中的任何一个都没有断开连接,则无法启动新的内存操作。但是,任何待处理的数据传输 (读取或写入) 都将完成。芯片被取消选择或启动写操作后,数据总线将在两周期内进行三态。

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