Samsung 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL Data Sheet(1)

描述:K4S281632M是134,217,728位同步高数据速率动态随机存储器，以4 x 2,097,152字节x 16位组织，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确地控制周期，I/O事务可以在每个时钟周期上进行。工作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许相同设备在各种高带宽、高性能内存系统应用中发挥作用。

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详情:K4S281632M是134,217,728位同步高数据速率动态随机存储器，以4 x 2,097,152字节x 16位组织，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确地控制周期，I/O事务可以在每个时钟周期上进行。工作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许相同设备在各种高带宽、高性能内存系统应用中发挥作用。