描述:K4S511632M是536,870,912位同步高速动态内存，由4 x 8,388,608字节x 16位组成，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。
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详情:K4S511632M是536,870,912位同步高速动态内存，由4 x 8,388,608字节x 16位组成，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。