描述:STP6NA80是STMicroelectronics公司的N沟道增强型高速功率MOS晶体管,其典型RDS(on)为1.68欧姆,栅极到源极电压额定值为±30V,100%雪崩测试,重复雪崩数据在100oC,低固有电容,栅极电荷最小化,降低阈值电压分散。

描述:SGS-THOMSON STP6NA80 STP6NA80FI 说明书,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全

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详情:STP6NA80是STMicroelectronics公司的N沟道增强型高速功率MOS晶体管,其典型RDS(on)为1.68欧姆,栅极到源极电压额定值为±30V,100%雪崩测试,重复雪崩数据在100oC,低固有电容,栅极电荷最小化,降低阈值电压分散。