描述:STP6N60FI是一种功率MOS晶体管，具有N沟道增强模式，典型RDS(on) = 1Ω，具备100%的雪崩测试，适用于高电流、高速开关等应用场景。
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详情:STP6N60FI是一种功率MOS晶体管，具有N沟道增强模式，典型RDS(on) = 1Ω，具备100%的雪崩测试，适用于高电流、高速开关等应用场景。