描述:STP7NB30是STMicroelectronics公司设计的高性能N通道MOSFET,具有典型RDS(on)为0.75欧姆、极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、非常低的固有电容和最小化的栅极电荷。应用包括高电流、高速度切换、开关模式电源供应(SMPS)、焊接设备和不间断电源供应以及电机驱动。
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详情:STP7NB30是STMicroelectronics公司设计的高性能N通道MOSFET,具有典型RDS(on)为0.75欧姆、极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、非常低的固有电容和最小化的栅极电荷。应用包括高电流、高速度切换、开关模式电源供应(SMPS)、焊接设备和不间断电源供应以及电机驱动。