描述:CY7C1021BV是一种高性能的CMOS静态RAM，按照65,536个字16位的方式组织。该设备具有自动断电功能，在取消选择时显著降低功耗。通过将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来对该设备进行写入。如果字节低使能(BLE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O1到I/O8)的数据将被写入到地址引脚(A0到A15)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O9到I/O16)的数据将被写入到地址引脚(A0到A15)指定的位置。通过将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平，同时将写使能(WE)置为高电平来从该设备中读取数据。如果字节低使能(BLE)为低电平，则从地址引脚指定的内存位置的数据将出现在I/O1到I/O8上。如果字节高使能(BHE)为低电平，则从地址引脚指定的内存位置的数据将出现在I/O9到I/O16上。
描述:CYPERSS CY7C1021BV33 64K x 16 Static RAM 数据手册,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
文件大小:239 KB
文件校验:83A9D7A9A5270CB352A9F674742F4237
desc:CY7C1021BV是一种高性能的CMOS静态RAM，按照65,536个字16位的方式组织。该设备具有自动断电功能，在取消选择时显著降低功耗。通过将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来对该设备进行写入。如果字节低使能(BLE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O1到I/O8)的数据将被写入到地址引脚(A0到A15)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O9到I/O16)的数据将被写入到地址引脚(A0到A15)指定的位置。通过将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平，同时将写使能(WE)置为高电平来从该设备中读取数据。如果字节低使能(BLE)为低电平，则从地址引脚指定的内存位置的数据将出现在I/O1到I/O8上。如果字节高使能(BHE)为低电平，则从地址引脚指定的内存位置的数据将出现在I/O9到I/O16上。