描述:这份文档介绍了Fairchild Semiconductor的Si9926DY双路N沟道2.5V规定功率MOSFET的特点和特性。它采用了Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺,适用于具有宽范围栅极驱动电压(2.5V-10V)的功率管理应用。
描述:FAIRCHILD Si9926DY DATA SHEET,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
文件大小:81 KB
文件校验:6ECF6733A33C7BF0F31009F6CD773032
desc:这份文档介绍了Fairchild Semiconductor的Si9926DY双路N沟道2.5V规定功率MOSFET的特点和特性。它采用了Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺,适用于具有宽范围栅极驱动电压(2.5V-10V)的功率管理应用。