描述:该文件介绍了ACTS00MS辐射硬化四输入与非门的特点。它采用了1.25微米辐射硬化SOS CMOS技术，能够承受总剂量300K RAD (Si)的辐射。具有很高的单事件干扰（SEU）免疫性，错误率小于1 x 10-10 Errors/Bit-Day (Typ)。该器件采用高速CMOS/SOS技术，具有较低的功耗。适用于军事温度范围-55°C至+125°C。
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desc:该文件介绍了ACTS00MS辐射硬化四输入与非门的特点。它采用了1.25微米辐射硬化SOS CMOS技术，能够承受总剂量300K RAD (Si)的辐射。具有很高的单事件干扰（SEU）免疫性，错误率小于1 x 10-10 Errors/Bit-Day (Typ)。该器件采用高速CMOS/SOS技术，具有较低的功耗。适用于军事温度范围-55°C至+125°C。