描述:M29F160BT和M29F160BB是两款单电源闪存，可在5V±10%电压下进行编程、擦除和读取操作。它们具有55ns的访问时间，8微秒的字节/字编程时间，35个存储块（1个引导块（顶部或底部位置）和2个参数和32个主块），内置的字节/字编程算法、内置的多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位、就绪/忙输出引脚、擦除暂停和恢复模式、读取和编程另一个块期间的擦除暂停、解锁旁路编程命令、更快的生产/批量编程、临时块解保护模式、待机和自动待机、100,000个块编程/擦除周期、20年数据保留（缺陷率低于1 ppm/年）和电子签名（制造商代码：0020h，顶部设备代码M29F160BT：22CCh，底部设备代码M29F160BB：224Bh）。
描述:ST M29F160BT M29F160BB 数据手册,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
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desc:M29F160BT和M29F160BB是两款单电源闪存，可在5V±10%电压下进行编程、擦除和读取操作。它们具有55ns的访问时间，8微秒的字节/字编程时间，35个存储块（1个引导块（顶部或底部位置）和2个参数和32个主块），内置的字节/字编程算法、内置的多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位、就绪/忙输出引脚、擦除暂停和恢复模式、读取和编程另一个块期间的擦除暂停、解锁旁路编程命令、更快的生产/批量编程、临时块解保护模式、待机和自动待机、100,000个块编程/擦除周期、20年数据保留（缺陷率低于1 ppm/年）和电子签名（制造商代码：0020h，顶部设备代码M29F160BT：22CCh，底部设备代码M29F160BB：224Bh）。