描述:32K x 8 高性能辐射抗扰ROM是业界标准功能的32768字 x 8位只读存储器。它采用霍尼韦尔的辐射抗扰技术制造，专为在辐射环境中运行的系统而设计。ROM在整个军用温度范围内工作，只需要单个5 V ± 10%电源。ROM可提供TTL或CMOS兼容的I/O。在操作中，功耗通常不到15 mW/MHz，在未选中时不到5 mW。ROM操作是完全异步的，具有关联的典型访问时间为14 ns。霍尼韦尔增强的SOI RICMOS™IV (Radiation Insen- sitive CMOS)技术通过使用先进的专有设计、布局和工艺抗扰技术实现辐射抗扰。RICMOS™ IV工艺是一项5伏特，SIMOX CMOS技术，具有150 Å栅极氧化物和0.75 µm（0.6 µm有效栅极长度—Leff）的最小绘图特征尺寸。其他功能包括钨填充通孔、霍尼韦尔的专有SHARP平面化工艺和轻掺杂漏极(LDD)结构，以提高短沟道可靠性。
描述:Honeywell HX6656 Data Sheet ,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
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desc:32K x 8 高性能辐射抗扰ROM是业界标准功能的32768字 x 8位只读存储器。它采用霍尼韦尔的辐射抗扰技术制造，专为在辐射环境中运行的系统而设计。ROM在整个军用温度范围内工作，只需要单个5 V ± 10%电源。ROM可提供TTL或CMOS兼容的I/O。在操作中，功耗通常不到15 mW/MHz，在未选中时不到5 mW。ROM操作是完全异步的，具有关联的典型访问时间为14 ns。霍尼韦尔增强的SOI RICMOS™IV (Radiation Insen- sitive CMOS)技术通过使用先进的专有设计、布局和工艺抗扰技术实现辐射抗扰。RICMOS™ IV工艺是一项5伏特，SIMOX CMOS技术，具有150 Å栅极氧化物和0.75 µm（0.6 µm有效栅极长度—Leff）的最小绘图特征尺寸。其他功能包括钨填充通孔、霍尼韦尔的专有SHARP平面化工艺和轻掺杂漏极(LDD)结构，以提高短沟道可靠性。