描述:本文介绍了一款N-沟道超FET功率MOSFET,采用创新的UltraFET™工艺制造。该器件具有低电阻和低反向恢复时间等优异的性能,适用于功率效率要求高的应用领域。

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desc:本文介绍了一款N-沟道超FET功率MOSFET,采用创新的UltraFET™工艺制造。该器件具有低电阻和低反向恢复时间等优异的性能,适用于功率效率要求高的应用领域。