描述:该文件介绍了HUF75321P3和HUF75321S3S两款N-Channel UltraFET功率MOSFET器件的特点和特性。这些器件采用先进的UltraFET工艺制造，具有极低的导通电阻和出色的性能。它们能够承受高能量的电压冲击，并且二极管具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。适用于对功率效率要求高的应用，如开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式和电池操作产品的电源管理。
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desc:该文件介绍了HUF75321P3和HUF75321S3S两款N-Channel UltraFET功率MOSFET器件的特点和特性。这些器件采用先进的UltraFET工艺制造，具有极低的导通电阻和出色的性能。它们能够承受高能量的电压冲击，并且二极管具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。适用于对功率效率要求高的应用，如开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式和电池操作产品的电源管理。