描述:这份文档介绍了四款N-沟道增强型功率场效应晶体管产品，具有4.0A和5.0A的电流、150V和200V的电压、0.8和1.2欧姆的电阻、纳秒级的开关速度、线性的传输特性、高输入阻抗、以及可直接从集成电路操作等特点。
描述:HARRIS IRF220, IRF221, IRF222, IRF223 4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 数据手册,查找说明书,说明书,指南,手册,用户指南,使用说明,操作说明,说明书下载,说明书大全
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desc:这份文档介绍了四款N-沟道增强型功率场效应晶体管产品，具有4.0A和5.0A的电流、150V和200V的电压、0.8和1.2欧姆的电阻、纳秒级的开关速度、线性的传输特性、高输入阻抗、以及可直接从集成电路操作等特点。