描述:PX3511A和PX3511B是高频MOSFET驱动器，专门设计用于驱动同步整流降压转换器拓扑结构中的上下功率N沟道MOSFET。这些驱动器与ISL6595数字多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET结合使用，形成了先进微处理器的完整核心电压调节器解决方案。PX3511A将上层门极驱动到12V，而下层门极可以独立地在5V至12V的范围内驱动。PX3511B可以在5V至12V的范围内驱动上下层门极。这种驱动电压提供了在栅电荷和导通损耗之间优化应用的灵活性。集成了自适应零击穿保护，可防止上下MOSFET同时导通，并最小化死区时间。这些产品在VCC超过开启阈值之前就具有过压保护功能，此时PHASE节点连接到低侧MOSFET（LGATE）的门极。然后，转换器的输出电压受到低侧MOSFET阈值的限制，如果在初始启动期间上层MOSFET（S）短路，这为微处理器提供了一定的保护。
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详情:PX3511A和PX3511B是高频MOSFET驱动器，专门设计用于驱动同步整流降压转换器拓扑结构中的上下功率N沟道MOSFET。这些驱动器与ISL6595数字多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET结合使用，形成了先进微处理器的完整核心电压调节器解决方案。PX3511A将上层门极驱动到12V，而下层门极可以独立地在5V至12V的范围内驱动。PX3511B可以在5V至12V的范围内驱动上下层门极。这种驱动电压提供了在栅电荷和导通损耗之间优化应用的灵活性。集成了自适应零击穿保护，可防止上下MOSFET同时导通，并最小化死区时间。这些产品在VCC超过开启阈值之前就具有过压保护功能，此时PHASE节点连接到低侧MOSFET（LGATE）的门极。然后，转换器的输出电压受到低侧MOSFET阈值的限制，如果在初始启动期间上层MOSFET（S）短路，这为微处理器提供了一定的保护。